Микрометр схема: Радиосхемы. – Микрометр

ЮВЕЛИРНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ :: ИНСТРУМЕНТ :: Измерительный инструмент :: Микрометр TACTIX 245311 0-25мм-0,01мм

Адрес магазина	Количество товара
г. Архангельск, ул. Иоанна Кронштадтского, д. 16	— мало
Бесплатная доставка при покупке от 1000 р. Тел.: 8-937-567-12-90 vk.com/id257357048,vk.com/siriustelekom [email protected] Время работы: 09:00 – 19:00 Адрес: Волгоград ул.Рабоче-Крестьянская, д. 14 Перейти на страницу контактов г. Волгоград, ул. Рабоче-Крестьянская, д. 14	— мало
Схема проезда к новому магазину от старого (ул. Куколкина, д. 5, 300 м. пешком) Адрес: Воронеж, ул Фридриха Энгельса, дом 56. Гор. номер 8 (473) 280-20-11, 8 (473) 26-111-96 Моб.номер 8 (952) 105-54-48 [email protected] Время работы: 09:00 – 20:00 Перейти на страницу контактов г. Воронеж, ул. Фридриха Энгельса, д. 56	— мало
г. Екатеринбург, ул. Героев России, д. 2, ТЦ Свердловск	— мало
Бесплатная доставка при покупке от 1000 р. Тел.: 8 (343) 380-39-99, 8 (922) 030-82-29 [email protected] Время работы: 10:00 – 20:00 Адрес: Екатеринбург, ул. Уральская, д.3 Перейти на страницу контактов г. Екатеринбург, ул. Уральская, д. 3	— мало
г. Иваново, проспект Ленина, д.9	— мало
г. Ижевск, ул. Вадима Сивкова, д.150, ТЦ Европа	— мало
Схема проезда от старого магазина (ул. Декабристов, 189) к новому: Тел.: 8 (843) 557-24-68, [email protected] Время работы: пн-пт 9:00 – 19:00, сб 9:00 – 18:00, вс 9:00 – 17:00 Адрес: Казань, ул.Декабристов, д.158 Перейти на страницу контактов г. Казань, ул. Декабристов, д. 158	— мало
Схема проезда от старого магазина “ПРОФИ” (пр-т Ленина, 8) С 31 марта по 3 апреля магазин закрыт на инвентаризацию Тел. : 8 (3842) 75-31-33, 8 (953) 065-91-51 [email protected] Время работы: 09:00 – 19:00 Адрес: Кемерово, проспект Ленина, д. 8 Перейти на страницу контактов г. Кемерово, ул. Пролетарская, д.3	— мало
Магазин переехал на ул. Советская, д. 119 Внимание! Изменился номер телефона и часы работы Тел.: 8 (4942) 302-202 [email protected] Время работы: пн-сб: 9:00-19:00, вс: 9:00-18:00 Адрес: Кострома, ул. Советская, д. 119Перейти на страницу контактов Схема проезда к новому магазину от старого: г. Кострома, ул. Советская, д. 119, пом. 48	— мало
Бесплатная доставка при покупке от 1000 р. Тел.: +7-861-253-07-07, +7-962-860-37-43 [email protected] Время работы: 09:00 – 19:00 Адрес: г. Краснодар, ул. Тургенева, д. 31/5 Перейти на страницу контактов г. Краснодар, ул. Тургенева д 35/1	— мало
Схема прохода к павильону 11 от старого павильона 64 Тел.: 8 (391) 270-27-37 [email protected] Время работы: 10:00 – 20:00 Адрес: Красноярск, ул. Вавилова, д.1, стр.39, пав. 11 Перейти на страницу контактов г. Красноярск, ул. Вавилова, д.1, стр.39, ТК «Атмосфера», пав. 11	— мало
Тел.:  8-903-245-41-61 [email protected] Время работы: 10:00 – 21:00 Адрес: Багратионовский проезд, д.7, ТЦ “Горбушкин Двор”, пав. С2-006а Перейти на страницу контактов г. Москва, Багратионовский пр-д, 7, ТЦ «Горбушкин Двор», пав. С2-006а	— мало
Тел.: 8 (495) 759-7855 [email protected] Время работы: 09:00 – 20:00 Адрес: Пятницкое шоссе, 18 Перейти на страницу контактов г. Москва, Пятницкое ш., 18, ТК «Митинский радиорынок», пав. 401/402, 1-й этаж	— мало
Тел. : 8 (495) 980-22-89 [email protected] Время работы: 10:00 – 20:00 Адрес: улица Сущевский Вал, 5с20 Перейти на страницу контактов г. Москва, ул. Сущевский вал, д. 5 стр. 20, ТЦ «Савеловский», пав. К-3	— мало
Схема проезда от старого магазина “ПРОФИ” (проспект Вахитова, д. 9А) С 1 по 5 июня магазин закрыт на инвентаризацию Тел.: 8 (8552) 92-89-22 [email protected] Время работы: 09:00 – 19:00 Адрес: Набережные Челны, Московский проспект, 126А Перейти на страницу контактов г. Набережные Челны, Московский проспект, д. 126А, ТК «Кама»	— мало
Бесплатная доставка при покупке от 1000 р. Тел.: 8 (831) 220-83-92 [email protected] Время работы: 9:00 – 20:00 Адрес: Нижний Новгород, ул.Советская 12 Перейти на страницу контактов г. Нижний Новгород, ул.Советская, д. 12	— мало
[email protected] Телефон: 8 (3843) 74-00-73 Время работы: 09:00 – 19:00 Новокузнецк, Россия Перейти на страницу контактов г. Новокузнецк, проспект Курако, д. 16	— мало
г. Омск, пр-т Карла Маркса. д. 29 А	— мало
Тел.: 8 (8412) 20-37-76, 8 (909) 320-75-75 [email protected] Время работы: пн-сб 10:00 – 19:00, вс 10:00 – 17:00 Адрес: ул. Володарского, д. 78 (угол с ул. Бакунина, д. 62) Перейти на страницу контактов г. Пенза, ул. Володарского 78 (угол с ул. Бакунина, д.62)	— мало
Бесплатная доставка при покупке от 1000 р. Тел.: 8 (863) 299-01-62 [email protected] Время работы: 09:00 – 19:00 Адрес: Ростов-на-Дону, ул. Серафимовича, д. 50 Перейти на страницу контактов г. Ростов-на-Дону, ул. Серафимовича, д. 50	— мало
г. Рязань, пр-т Первомайский, дом 21/24	— мало
Магазин переехал на ул. Победы, 105. Схема проезда к новому магазину от старого (500 м.): Бесплатная доставка при покупке от 1000 р. Тел.: 8 (846) 375-00-60, 8 (996) 723-72-72 [email protected] Время работы: 09:00 – 19:00 Адрес: Самара, ул. Победы д. 96 Перейти на страницу контактов г. Самара, ул. Победы д. 105	— мало
Санкт-Петербург, Московский пр. 193 (812) 670-70-78 [email protected] Перейти на страницу контактов г. Санкт-Петербург, Московский пр., д.193	— мало
Тел.: 8 (812) 598-09-94 [email protected] Время работы: 10:00 – 20:00 Адрес: Санкт-Петербург, м. Проспект Просвещения, проспект Энгельса, д. 137 Перейти на страницу контактов г. Санкт-Петербург, пр. Энгельса, д.137, лит А	— мало
Тел.: 8 (812) 640-8-630 [email protected] Время работы: пн-пт: 10-00 до 20-00, сб-вс: 10-00 до 19-00 Адрес: Санкт-Петербург, м. Дыбенко, ул. Дыбенко, д.20, корп 1 Перейти на страницу контактов   г. Санкт-Петербург, ул, Дыбенко, д.20, к.1	— мало
Тел.: 8 (812) 670-5-671  [email protected] Время работы: с 10-00 до 20-00 без обеда и выходных Адрес: Санкт-Петербург, м. Комендантский проспект, ул. Ильюшина д. 8 Перейти на страницу контактов г. Санкт-Петербург, ул. Ильюшина, д. 8	— мало
г. Санкт-Петербург, ул. Марата, д. 22-24	— мало
Бесплатная доставка при покупке от 1000 р. Тел.: 8 (8452)27-51-04 [email protected] Время работы: 09:00 – 19:00 Адрес: Саратов, ул. Московская, 106 Перейти на страницу контактов г. Саратов, ул. Московская, д. 106	— мало
СМОЛЕНСК. УЛ. БЕЛЯЕВА, Д. 6 Телефон (обязательно набирайте номер полностью, с кодом города): 8 (962) 194-06-66, 8 (4812) 21-86-16 [email protected] Время работы: 09:00 – 18:00 Адрес: Смоленск, улица Беляева, 6 Перейти на страницу контактов г. Смоленск, ул. Беляева, д. 6	— мало
г. Ставрополь, ул. Лермонтова, д. 193	— мало
Тел.: (8482) 27-00-58 [email protected] Время работы: пн-пт 9:00 – 19:00, сб 10 – 18, вс 10:00 – 17:00 Адрес: Тольятти, ул. Революционная, д. 52 Перейти на страницу контактов г. Тольятти, ул. Революционная, д. 52, ТД ДБ «Орбита», 1 этаж, 111 секция	— мало
В связи с празднованием Дня Города 28.07.18, магазин будет работать для покупателей до 18:40 29 июля магазин работает до 18-40 Тел. : 8 (3452) 68-98-89, 8 (922) 079-20-36 [email protected] Время работы: пн-сб: 09:00 – 19:40, вс: 09:00 – 18:40 Адрес: Тюмень, ул. Орджоникидзе, 67 Перейти на страницу контактов Схема проезда к новому магазину от старого: г. Тюмень, ул. Герцена, д.95А	— мало
Схема проезда к новому магазину Мобильный: 8 (987) 100-300-5 доступны в Whatsapp Телефон: 8 (347) 246-15-94 [email protected] Время работы: 10:00 – 20:00 Адрес: Уфа, ул. Комсомольская, д.15  (вход со стороны ул. Бессонова) Перейти на страницу контактов г. Уфа, ул. Комсомольская, д. 15 (вход со стороны ул. Бессонова)	— мало
Тел. 8 (8352) 62-55-55 8 (908) 301-00-11 [email protected] Время работы: пн-сб: 10:00 – 19:45, вс: 10:00 – 18:45 Адрес: ул. Композиторов Воробьевых д. 20 ТЦ “Дом Мод” Перейти на страницу контактов г. Чебоксары, ул.Композиторов Воробьевых, д.20, ТРЦ «Дом Мод», 1-й этаж	— мало
Тел.: +7(351) 225-15-85 [email protected] Время работы: 09:00 – 19:00 Адрес: проспект Победы, д. 162 Перейти на страницу контактов   Схема проезда от старого магазина: г. Челябинск, проспект Победы, д.162	— мало
Схема проезда от старого магазина (ул. Горького, 61) Тел.: (8202) 20-17-24 [email protected] Время работы: пн-пт 9:00 – 19:00, сб 10:00 – 19:00, вс 10:00 – 18:00 Адрес: Череповец, ул. Металлургов д. 7 Перейти на страницу контактов г. Череповец, ул. Металлургов, д.7	— мало

РФ651 оптический высокоточный микрометр, диапазон

• диапазон измерений: 25 мм, 50 мм, 75 мм, 100 мм;
• точность ± 3…20 мкм;
• свободная интеграция и работа в ПО ZETLAB;
• произвольное расстояние между излучателем и приемником.

Характеристики

оптических микрометров РФ651

Метрологические характеристики
Модель РФ651-	25	50	75	100
Рабочий диапазон	25 мм	48 мм	75 мм	98 мм
Минимальный размер объекта	0,5 мм	1 мм	1,5 мм	2 мм
Погрешность*	± 5 мкм	± 10 мкм	± 15 мкм	± 20 мкм
Максимальная частота обновления данных	2000 Гц	2000 Гц	2000 Гц	2000 Гц
Источник излучения	Светодиод или лазер
Класс лазерной безопасности	1 (IEC60825-1)
Выходной интерфейс	цифровой: RS232 (макс. 921,6 Кбит/с) или RS485 (макс. 921,6 Кбит/с) или Ethernrt и (RS232 или RS485) аналоговый: 4…20 мА (нагрузка ≤ 500 Ом) или 0…10 В
Вход внешней синхронизации	2,4 — 5 В (CMOS, TTL)
Логический выход	три входа, NPN: 100 мА max; 40 В max
Напряжение питания	24 В (9…36)
Потребляемая мощность	1,5…2 Вт
Устойчивость к внешним воздействиям	класс защиты: IP67 уровень вибраций: 20 g/ 10…1000 Гц, 6 часов для каждой из XYZ осей ударные нагрузки: 30 g/ 6 мс окружающая температура: -10…+60 °С относительная влажность: 5-95 %
Материал корпуса	алюминий
Вес (без кабеля)	600 г	2000 г	2600 г	4000 г

* Определена для контроля положения границы типа «нож» и при расстоянии между излучателем и приёмником, равном двойному рабочему диапазону.

Области применения

оптических датчиков перемещения РФ651

Оптические микрометры РФ651 позволяют производить следующие бесконтактные измерения:

• определение ширины/диаметра крупных объектов;
• измерение зазоров;
• измерения по двум осям;
• регистрация перемещения объекта;
• распознавание и сортировка;
• считывание профиля объекта.

Принцип работы

оптических микрометров РФ651

В основу работы датчика положен теневой метод.

Микрометр состоит из двух модулей: излучателя 1 и приемника 2. Излучение полупроводникового лазера 3 коллимируется объективом 4. При размещении объекта 5 в области коллимированного пучка формируемое теневое изображение сканируется линейкой ПЗС-фотоприемников 6. По положению теневой границы (границ) процессор 7 рассчитывает положение (размер) объекта.

Схема подключения

оптических микрометров РФ651

Оптический микрометр РФ651 подключаются к контроллерам через специализированное согласующее устройств, для удобства подключения на кабеле датчика устанавливается разъём miniXLR5.

Общая схема подключения датчиков к контроллерам приведена на рисунке:

Пример обозначения при заказе:
РФ651-X/L-SERIAL-ANALOG-LOUT-IN-CC-M-AK

Символ	Наименование
X	Рабочий диапазон, мм
L	Расстояние между корпусами излучателя и приёмника, закреплёнными на балке, мм
SERIAL	Тип последовательного интерфейса: RS232 — 232, или RS485 — 485, или (Ethernet и RS232) — ET-232 или (Ethernet и RS485) — ET-485
ANALOG	Наличие аналогового выхода по току (I) или по напряжению (U)
LOUT	Наличие программируемых логических выходов
IN	Наличие входа синхронизации
СС	Кабельный ввод — CG, либо разъём — СС
M	Длина кабеля, м
AK	Наличие системы обдува окон

Пример: РФ651-25/50-232-I-IN-CG-3 — рабочий диапазон — 25 мм, расстояние между излучателем и приёмником 50 мм, последовательный порт RS232, есть токовый выход 4…20 мА, есть вход синхронизации, кабельный ввод, длина кабеля 3 метра.

Запросить стоимость оптического микрометра РФ651

ZETLAB

+7 495 739-39-19
+7 499 116-70-69
[email protected]
 Россия, 124460, г. Москва, г. Зеленоград, территория ОЭЗ Технополис Москва, ул. Конструктора Лукина, д. 14, стр. 12

Вход/Регистрация

Предприятие

О компании
Сервисное обслуживание
Скидки и акции
Сертификаты
Документация
Дилерам
Контакты
Форум
FAQ

Продукция

Анализаторы спектра
Тензометрические станции
Сейсмостанции
Цифровые датчики и контроллеры
Аналоговые датчики
Программное обеспечение ZETLAB
Аксессуары и опции

[PDF] Ток утечки в субмикрометровых КМОП-элементах

• Идентификатор корпуса: 8083982

 @inproceedings{Butzen2008LeakageCI,
  title={Ток утечки в субмикрометровых КМОП-затворах},
  автор = {Пауло Франсиско Буцен и Ренато П.  Рибас},
  год = {2008}
} 

• P. Butzen, R. Ribas
• Опубликовано в 2008 г.
• Инженерное дело, физика

Статическое энергопотребление в настоящее время является решающим параметром проектирования цифровых схем благодаря появлению мобильных продуктов. Токи утечки, являющиеся основной причиной рассеивания статической мощности в режиме ожидания, резко возрастают в процессах менее 100 нм. Утечка под порогом увеличивается из-за масштабирования порогового напряжения, в то время как ток утечки затвора увеличивается из-за масштабирования толщины оксида. Это означает, что рассеивание статической мощности должно быть учтено как можно раньше при проектировании. Утечка…

inf.ufrgs.br

МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ПОДПОРОГОВОГО ТОКА УТЕЧКИ В МАЛОМОЩНЫХ УСТРОЙСТВАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (КМОП)

• Stephen Kusimba, J. Rotich9 0 1

• 2019

Тенденция к масштабированию процесса для КМОП-технологии сделала сокращение подпороговых утечек все более серьезной проблемой для разработчиков субмикронных схем. Энергопотребление стало принципиальным проектом…

Активно контролируемое удерживающее напряжение SRAM

• Ankush Mamgain, Anuj Grover

• Информатика

• 2018

В этой работе предлагается конструкция на основе усилителя ошибок SRAM 4MB 4MBn0m 4 для уменьшения удерживания массива показывает, что вариации 3σ находятся в пределах защитных полос.

Подход к проектированию СБИС на основе переменного смещения тела (VBB) для снижения статической мощности

• Ву Вей Кай, Набиха Ахмад, М. Х. Джаббар

• Инженерное дело

• 2017

Для снижения статического энергопотребления в конструкции СБИС был применен метод Variable Body Biasing (VBB) и достигнуто снижение пиковой мощности и средней мощности в статической CMOS 1-битной полной сумматора по сравнению с обычным смещением и методом VBB.

Конструкция усилителя ошибки мощностью 81 нВт для работы массива SRAM емкостью 4 Мбайт в режиме удержания со сверхнизкой утечкой в ​​40-нанометровой технологии LSTP находятся в пределах защитной полосы.

Временной анализ и оптимизация цифровых КМОП-схем с масштабированием по напряжению с устройствами с двойным Vth

Предлагается новая структура для временного анализа и устранения нарушающих путей для схем с двойным Vth и успешно устранены нарушающие пути, но задержка 35–61 %. запас стандартных библиотек ячеек способствовал ошибкам оценки задержки.

Улучшенный аналоговый коммутатор CMOS

• Г. Чирану, К. Тудоран, О. Неаго, Г. Брезеану

• Инженерное дело

  2019 Международный симпозиум по сигналам, схемам и системам (ISSCS)

• 2019

Усовершенствованная архитектура коммутатора CMOS, обеспечивающая уровни входного напряжения выше, чем у источника питания, а также снижение RON в зависимости от приложенного напряжения, описана в Эта бумага. Для…

Проект маломощного энергонезависимого мемристорного элемента с нижним переключателем

• Peter Bukelani Musiiwa, S. Akashe

• Engineering

  ICTCS

• 2016

В этом исследовании также был предложен метод снижения мощности холостого хода с использованием спящего транзистора, поэтому была разработана ячейка 5T1D1M, в которой это достигается за счет снижения тока утечки холостого хода с использованием FinFET и сонливого кипера. транзистор.

Новый метод уменьшения статической утечки в конструкции 16-нм КМОП

• Смита Сингхал, Ану Мехра

• Инженерия, информатика

  International Journal of Electronics Letters

• 2018

Предлагаемый метод называется Dual Threshold и Dual Oxide для снижения статической мощности (DTOS) и снижает потребление статической мощности в среднем на 75,4% по сравнению с подходами MTCMOS, Dual-Vth и Dual-Tox. для уменьшения утечек для 3-входового вентиля nand.

Сравнительный анализ и исследование различных методов уменьшения утечки для устройств с коротким каналом в беспереходных транзисторах: обзор и перспективы

• М. Рай, Абхинав Гупта, Санджив Рай

• Машиностроение

  Кремний

• 2021

Ток утечки в МОП-устройстве стал узким местом с технологическим ростом полупроводниковой промышленности. При масштабировании устройства до субнанометрового режима компоненты тока утечки…

Самовоздействие эффекта НБТИ на скорость деградации порогового напряжения в транзисторах PMOS

• Б. Эгбалхах, С. Гарави, А. Афзали-Куша , М. Газневи-Гоущи

• Инженерная

  2013 8-я Международная конференция по проектированию и технологиям интегрированных систем в наномасштабную эру (DTIS)

• 2013

Разработана структура моделирования для динамической оценки влияния NBTI на энергопотребление схемы и, следовательно, на рабочую температуру и результаты показывают, что предполагаемая деградация Vth примерно на 4,1% меньше, чем прогнозируемая величина по текущим моделям.

ПОКАЗЫВАЕТ 1-10 ИЗ 43 ССЫЛОК

СОРТИРОВАТЬ ПОРелевантностьНаиболее влиятельные документыНедавность

Анализ рассеиваемой мощности и оптимизация цифровых КМОП-схем глубокого субмикронного размера

В этом документе представлена ​​простая аналитическая модель для оценки рассеиваемой мощности в режиме ожидания и переключения в цифровых КМОП-схемах глубокого субмикронного размера. Модель основана на Berkeley Short-Channel IGFET…

Утечки в нанометрах CMOS Technologies

• S. Narendra, A. Chandrakasan

• Engineering

• 2010
5 Обложки в схемах, перспективных решениях 90 и уровни абстракции архитектуры после первого объяснения чувствительности различных источников утечки MOS к этим условиям из…

Оценка мощности утечки в режиме ожидания в схемах CMOS с учетом точного моделирования транзисторных стеков

• Zhanping Chen, Mark C. Johnson, Liqiong Wei, K. Roy

• Engineering, Computer Science

  ISLPED ’98

• 4

  4

Результаты большого количества тестов показывают, что правильный выбор входа может снизить мощность утечки в режиме ожидания более чем на 50% для некоторых цепей.

Анализ и уменьшение мощности утечки для наносхем

• A. Agarwal, S. Mukhopadhyay, A. Raychowdhury, K. Roy, C. Kim

• Engineering

  IEEE Micro

• 2006

Значительная часть тока в нанометрическом режиме рассеивание в КМОП-схемах по мере уменьшения порогового напряжения, длины канала и толщины оксида затвора. Различные…

Механизмы тока утечки и методы уменьшения утечки в схемах КМОП с субмикронной глубиной

• К. Рой, С. Мухопадхьяй, Х. Махмуди-Мейманд

• Инженерное дело

  Proc. IEEE

• 2003

Объясняются методы проектирования каналов, включая ретроградную яму и легирование гало, как средства управления эффектами короткого канала для непрерывного масштабирования устройств CMOS, а также исследуются различные методы схем для снижения потребляемой мощности утечки.

Анализ и снижение мощности утечки: модели, оценка и инструменты

• A. Agarwal, S. Mukhopadhyay, C. Kim, A. Raychowdhury, K. Roy

• Engineering

• 2005

Высокий ток утечки в нанометровом режиме становится значительной долей рассеиваемой мощности в КМОП-схемах, поскольку пороговое напряжение, длина канала и толщина оксида затвора масштабируются.…

Проблемы высокой производительности и низкого энергопотребления для микропроцессорных схем менее 70 нм

• R. Krishnamurthy, A. Alvandpour, V. De, S. Borkar

• Информатика, инженерия

  Proceedings of the IEEE 2002 Custom Integrated Circuits Conference (Cat. No.02Ch47285)

• 2002

Схемотехника для борьбы с увеличением рассеиваемой мощности при переключении и утечке сигнала, плохой устойчивостью сигнала описаны кэш-массивы и регистровые файлы, а также тенденция к ухудшению глобального масштабирования межсоединений на кристалле.

Уменьшение утечки сонливого стека

Метод сонливого стека обеспечивает наименьшее потребление мощности утечки среди известных методов снижения утечки с сохранением состояния, таким образом, предоставляя разработчикам схем новые возможности решения проблемы утечки мощности.

Уменьшение утечки затвора для масштабируемых устройств с использованием транзисторного стека

Новый метод выбора входного вектора на основе относительного вклада утечки затвора и подпороговой утечки в общую утечку предлагается для уменьшения общей утечки в цепи.

Вопросы выбора размера транзистора и инструмент для многопороговой технологии Cmos

Представлен симулятор уровня переключателя с переменной точкой останова, который может быстро вычислять задержку в схемах MTCMOS в зависимости от проектных переменных, таких как V{dd}, V{t} и размер транзистора в режиме сна.

Триады донор/проводник/акцептор, пространственно организованные в микрометровом масштабе: альтернативный подход к фотогальваническим элементам

. 2007;13(2):515-9.

doi: 10.1002/chem.200600731.

Франсеск X Льябрес и Ксамена ¹ , Лаура Теруэль, Мерседес Альваро, Эрменеджильдо Гарсия

принадлежность

• ¹ Instituto de Tecnología Quimica, CSIC-UPV, Политехнический университет Валенсии, Camino de Vera s/n, 46022 Валенсия, Испания.
• PMID: 17042043
• DOI: 10.1002/хим.200600731

Francesc X Llabrés i Xamena et al. Химия. 2007.

. 2007;13(2):515-9.

doi: 10.1002/chem.200600731.

Авторы

Франсеск X Льябрес и Ксамена ¹ , Лаура Теруэль, Мерседес Альваро, Эрменеджильдо Гарсия

принадлежность

• ¹ Instituto de Tecnología Quimica, CSIC-UPV, Политехнический университет Валенсии, Camino de Vera s/n, 46022 Валенсия, Испания.
• PMID: 17042043
• DOI: 10.1002/хим.200600731

Абстрактный

Мы использовали пористые анодированные мембраны Al(2)O(3) в качестве инертной матрицы для конструирования и организации пространственно-тройных систем донор/проводник/акцептор (DCA), проявляющих активность фотогальванических элементов в микрометрическом масштабе. Эти триады DCA были построены поэтапно, сначала выращивая проводящий полимер внутри пор мембраны, таким образом формируя наностержни, которые полностью заполняют внутреннее пространство пор мембраны. Затем донор электронов и акцептор электронов адсорбировались по одному с каждой стороны мембраны, так что они были разделены расстоянием, равным толщине мембраны (около 60 мкм), но электронно связаны через проводящий полимер. Когда это устройство помещали между двумя электродами и облучали видимым светом, электроны выскакивали из молекулы-донора, пересекали мембрану из стороны в сторону через проводящий полимер (путешествие около 60 микрон!), пока, наконец, не достигали молекулы-акцептора. При этом между двумя электродами генерировалось электрическое напряжение, способное поддерживать протекание электрического тока от мембраны к внешней цепи. Наше устройство DCA представляет собой доказательство новой концепции фотогальванических элементов, поскольку оно основано на пространственной организации в микрометрическом масштабе комплементарных, но не связанных ковалентно, электронодонорных и электроноакцепторных органических частиц. Таким образом, наша клетка основана на переводе фотоиндуцированного переноса электронов между донорами и акцепторами, который, как известно, происходит в молекулярном нанометрическом масштабе, в микрометрический диапазон в пространственно организованной системе. Кроме того, наша ячейка не требует использования жидких электролитов для работы, что является одним из основных недостатков солнечных элементов, сенсибилизированных красителем.

Похожие статьи

• Новые электроактивные и фотоактивные молекулярные материалы на основе сопряженных донорно-акцепторных структур для применения в оптоэлектронных устройствах.

  Сунь С, Лю И, Сюй С, Ян С, Ю Г, Чен С, Чжао Зи, Цю В, Ли И, Чжу Д. Сан Х и др. J Phys Chem B. 2 июня 2005 г.; 109 (21): 10786-92. дои: 10.1021/jp0509515. J Phys Chem B. 2005. PMID: 16852311

• Молекулярные объемные гетеропереходы: новый подход к органическим солнечным элементам.

  Ронкали Дж. Ронкали Дж. Acc Chem Res. 2009 17 ноября; 42 (11): 1719-30. doi: 10.1021/ar

1b. Acc Chem Res. 2009. PMID: 19580313

• Стратегии повышения эффективности гетеропереходных органических солнечных элементов: выбор материала и архитектура устройства.

  Хереманс П., Чейнс Д., Рэнд Б.П. Хереманс П. и соавт. Acc Chem Res. 2009 17 ноября; 42 (11): 1740-7. дои: 10.1021/ar

• 23. Acc Chem Res. 2009. PMID: 19751055

• Перенос электронов и энергии в донорно-акцепторных системах с сопряженными молекулярными мостиками.

  Albinsson B, Eng MP, Pettersson K, Winters MU. Альбинссон Б. и соавт. Phys Chem Chem Phys. 2007 28 ноября; 9 (44): 5847-64. дои: 10.1039/b706122f. Epub 2007 17 июля. Phys Chem Chem Phys. 2007. PMID: 17989792 Обзор.

• Материалы для органических солнечных элементов: подход на основе олигомеров, сопряженных с C60/pi.

  Сегура Д.Л., Мартин Н., Гульди Д.М. Сегура Дж.Л. и соавт. Chem Soc Rev. 2005 Jan; 34(1):31-47.