Категория: Разное

Sff1004G характеристики: Серия sff1004g (Taiwan Semiconductor)

   13.06.2023  Комментировать

Справочники

  • Каталог
  • О магазине
    • О магазине
    • Контакты
    • Обратная связь
    • Оплата
    • Доставка
    • Как купить
    • Ответы на вопросы
    • Сотрудничество
    • Правовая информация
    • Товары под заказ
    • Параметрический фильтр
    • Вакансии
  • Скидки
  • Оплата
  • Доставка
  • Как купить
  • Справочник
  • Личный кабинет
    • Мои настройки
    • Мои заказы
    • Моя корзина
    • Подписка
  • /Справочники
  • /Справочник по диодам и диодным мостам
  • /Страница не найдена
  • Каталог

    Каталог электронных компоненты, активные электронные компоненты, пассивные электронные компоненты, микросхемы, транзисторы, биполярные транзисторы, диоды, стабилитроны, клеммы, клеммники

  • О магазине
    • О магазине
    • Контакты
    • Обратная связь
    • Оплата
    • Доставка
    • Как купить
    • Ответы на вопросы
    • Сотрудничество
    • Правовая информация
    • Товары под заказ
    • Параметрический фильтр
    • Вакансии
  • Скидки
  • Оплата
  • Доставка
  • Как купить
  • Справочник

    Справочник по транзисторам, тиристорам, симисторам, стабилитном, полевым транзисторам, биполярным странзисторам

  • Личный кабинет
    • Мои настройки
    • Мои заказы
    • Моя корзина
    • Подписка


10ШТ CN3761 CN3762 CN3763 CN3765 CN3767 CN3781 CN3791 CN3795 CN3801 CN5120 CN5815 CN83501E CS5025E Ch440K SOP10 СОП-10 SSOP10 ред

10ШТ CN3761 CN3762 CN3763 CN3765 CN3767 CN3781 CN3791 CN3795 CN3801 CN5120 CN5815 CN83501E CS5025E Ch440K SOP10 СОП-10 SSOP10

(На базата На 0 Коментари)

6. 18лв.

Разположение:В наличност

Размер:

  • X
  • M
  • L
  • Инв.: w152047
  • Категория: Активни съставки
  • Тагове: железни скоби t001 smd ic, част smd ic, батерия ic f26, зарядно устройство mazfit stratos 2s, зарядно устройство за 2s ph30, батерия мотоциклет 20 л, контролер rgbcct 12v, задаване на тип smd, модул l 30a, зарядно устройство за батерия d li90

Добави в количката

  • Описание
  • Допълнителна информация
  • Коментари (0)
Добави мнение

Вашият email адрес няма да бъде публикуван. Задължителните полета са маркирани *

Вашият рейтинг:

Вашето мнение *

Електронна поща *

Свързани продукти:

  • Всички продукти, които ви също могат да се хареса на

Разпродажба

Добави в количката

Ново

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Ново

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Ново

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Ново

Добави в количката

Ново

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Ново

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Ново

Добави в количката

Ново

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Разпродажба

Добави в количката

Спецификация

SFF1004G – Пакет = ITO-220AB ;; Макс.

Обратное напряжение VRM (В)=
Детали, спецификация, цитата по номеру детали: SFF1004G
Деталь SFF1004G
Категория Дискретные => Диоды и выпрямители => Выпрямители со сверхбыстрым восстановлением
Название Стекло пассивированное
Описание Упаковка = ITO-220AB ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 10 ;; Ifsm (А)= 125
Компания Тайваньский полупроводник (TSC)
Техническое описание Загрузить SFF1004G Техническое описание
Крест. Аналоги: RF601T2D, RF1001T2D, RF1601T2D, RFN20T2D, RFN10T2D, RFN16T2D, RF2001T2D, STTh2602CFP, STTh2002CFP
Цитата

Где купить

 

 

Особенности, применение
Изоляция 10,0 AMPS. Пассивированные стеклом сверхбыстрые выпрямители
Особенности
Низкое прямое падение напряжения Высокая допустимая нагрузка по току Высокая надежность Высокая устойчивость к импульсному току

Корпус: формованная пластмасса ITO-220AB Эпоксидная смола: огнестойкий стандарт UL 94V-O Клеммы: выводы под пайку в соответствии с MIL-STD202, гарантируется метод 208 Полярность: как указано. Гарантированная высокотемпературная пайка: C/10 секунд, 16 дюймов (4,06 мм) от корпуса. Вес: 2,24 грамма. Момент затяжки: 1 шт., макс.

Номинальные характеристики при температуре окружающей среды 25+, если не указано иное. Одна фаза, полуволна, 60 Гц, резистивная или индуктивная нагрузка. Для емкостной нагрузки уменьшите номинальный ток на 20 % Символ Номер типа SFF

Максимальное периодическое пиковое обратное напряжение Максимальное среднеквадратичное напряжение Максимальное напряжение блокировки постоянного тока Максимальный средний прямой выпрямленный ток.375 (9,5 мм) Длина провода = 100+ Пиковый прямой импульсный ток, 8,3 мс Одна полусинусоидальная волна, наложенная на номинальную нагрузку (метод JEDEC) Максимум Мгновенное прямое напряжение при 5,0 А Максимальный постоянный обратный ток A=25+ при номинальном постоянном напряжении блокировки A=100 + Максимальное обратное время восстановления (Примечание 1) Типовая емкость перехода (Примечание 2) Типовое тепловое сопротивление (Примечание 3)

5. 0 Диапазон рабочих температур до +150°С Диапазон температур хранения T STG до +150°С Примечания: 1. Условия испытания обратного восстановления: IRR=0,25A 2. Измерено на частоте 1 МГц и приложенном обратном напряжении 4,0 В постоянного тока 3. Тепловое сопротивление от перехода к корпусу Устанавливается на радиатор.

РИСУНОК 1 – ХАРАКТЕРИСТИКА ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ В ОБРАТНОМ ВРЕМЕНИ И СХЕМА ИСПЫТАТЕЛЬНОЙ ЦЕПИ

50 Вт, НЕИНДУКТИВНАЯ 10 Вт, НЕИНДУКТИВНАЯ +0,5A DUT 50 В пост.

ПРИМЕЧАНИЯ: 1. Время нарастания = 7 нс макс. Входное сопротивление = 1 МОм 22 пФ 2. Время нарастания = 10 нс макс. Импеданс источника = 50 Ом

8,3 мс одиночная полусинусоидальная волна, метод JEDEC

 

Связанные продукты с тем же паспортом
SFF1002G
SFF1003G
SFF1005G
SFF1006G
SFF1007G
SFF1008G
Номер детали того же производителя Taiwan Semiconductor (TSC)
SFF1005G Упаковка = ITO-220AB ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 10 ;; Ifsm (А)= 125
SFF1601G
SFF501G
SFR101 Пакет = DO-41 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR101S Упаковка = A-405 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR102 Пакет = DO-41 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 100 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR102S Упаковка = A-405 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 100 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR103 Пакет = DO-41 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 200 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR103S Упаковка = A-405 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 200 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR104 Пакет = DO-41 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 400 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR104S Упаковка = A-405 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 400 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR105 Пакет = DO-41 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 600 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR105S Упаковка = A-405 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 600 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR106 Пакет = DO-41 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 800 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR106S Упаковка = A-405 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 800 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR107 Пакет = DO-41 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 1000 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR107S Упаковка = A-405 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В) = 1000 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR151 Пакет = DO-15 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1,5;; Ifsm (А)= 50
Пакет SFR1T1 = TS-1 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1 ;; Ifsm (А)= 30
SFR201 Пакет = DO-15 ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 2 ;; Ifsm (А)= 60
SFR301 Пакет = DO-201AD ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 3 ;; Ifsm (А)= 150

1.5KE30CA : Пакет = DO-201 ;; Код маркировки устройств= ;; Номинальное напряжение (В) = 10

ES2D : Пакет с пассивированным стеклом = SMB/DO-214AA ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 2 ;; Ifsm (А)= 50

P4KE51 : Пакет = DO-41 ;; Код маркировки устройств= ;; Номинальное напряжение (В) = 10

RS3M : Упаковка из пассивированного стекла = SMC/DO-214AB ;; Макс. Обратное напряжение VRM (В)= 50 ;; Макс. Авер. Прямо. Ток io (А)= 3 ;; Ifsm (А)= 100

SMBJ16A : Пакет = SMB/DO-214AA ;; Код маркировки устройств= KW ;; Номинальное напряжение (В) =

TS39100CW1.5 : Многофункциональный регулятор напряжения со сверхмалым падением напряжения 1 А

TSCD143KCU6 : Цифровой транзистор NPN

BZX85C3V6-TR/5 : 30 В, 1,3 Вт, КРЕМНИЕВЫЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ, DO-41 Технические характеристики: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ

TSC236CZC0: 4 A, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB Технические характеристики: Полярность: NPN; Тип упаковки: TO-220, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ITO-220, 3 PIN

 

© digchip.com, 2004-2023 гг. Описание Фабрикантес ПДФ 1SS181 Сверхбыстродействующий переключающий диод
ВИЛЛАС ПДФ 1SS181 Быстродействующие переключающие диоды
ЦУП ПДФ 1SS181 ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД
РЕКТРОН ПДФ 1SS181 Импульсные диоды для поверхностного монтажа
ВЕЙТРОН ПДФ 1SS181 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ДИОД
СЕМТЕХ ПДФ 1SS181 СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД
Кексин ПДФ 1SS181 Переключающий диод для поверхностного монтажа
Галактический полупроводник ПДФ 1SS181 Диоды в пластиковом корпусе
ТРАНСИС ПДФ 1SS184 Импульсные диоды для поверхностного монтажа
ВЕЙТРОН ПДФ 1SS184 Сверхбыстродействующий переключающий диод
ВИЛЛАС ПДФ 1SS184 Переключающие диоды
ЛГЭ ПДФ 1SS184 Быстродействующие переключающие диоды
ЦУП ПДФ 1СС184 ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД
РЕКТРОН ПДФ 1SS184 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ДИОД
СЕМТЕХ ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (техническое описание на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characterísticas de un componente (por ejemplo, un componente electronic) о подсистема ( por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Автор: alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *